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    材料
    磷化铟InP单晶基片
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1717

      磷化铟InP单晶基片

      InP单晶材料是最重要的化合物半导体材料之一,是光纤通信技术中的非常关键的材料,基于InP的激光二极管(LD)、发光二极管(LED)和光探测器等器件实现了光纤通信中信息的发射、传播、放大、接受等功能。InP同时也非常适用于高频器件,如高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等方面。由于InP本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等诸多高技术领域有着广泛的应用.

     

    生长方法

    液封提拉法LEC

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0. 587

    晶向

    <100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

    轻掺、中掺、重掺

    掺杂元素

    不掺杂

    掺S

    掺Zn

    掺Te

    导电类型

    N

    N

    P

    N

    带隙(eV)

    1.34

    电阻率(Ω·cm)






    迁移率(cm2/(v·s))

    (3.5-4)×103

    (2.0-2.4)×103

    (1.3-1.6)×103

    70-90

    ≥2000

    载流子密度(/cm3

    (0.4-2)×1016

    (0.8-3)×1018

    (4-6)×1018

    (0.6-2)×1018

    107-108

    位错密度(EPD)(/cm2

    <5×104

     3×104

    2×103

    2×104

    3×104

    尺寸

    Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片或切割片

    厚度(um)

    500,厚度公差+-10um,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室

     



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