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    产品中心
    材料
    砷化铟InAs单晶基片
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1520

      

    砷化铟InAs单晶基片作为衬底,不仅可以生长InAsSb/In-AsPSb、InNAsSb等异质结材料,用来制作波长范围为2~14μm的红外发光器件,还可以外延生长AlGaSb超晶格结构材料,制作中红外量子级联激光器。红外发光器件和红外激光器在气体监测、低损耗光纤通信等领域有非常好的应用前景。InAs单晶同时具有很高的电子迁移率,也是一种制作Hall器件的理想材料。

     

    生长方法

    液封提拉法LEC

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0.606

    晶向

    <100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Sn

    掺Zn

    掺S

    导电类型

    N

    N

    P

    N

    带隙(eV)

    0.354

    电阻率(Ω·cm)





    迁移率(cm2/(v·s))

    2×104

    >2000

    100-300

    >2000

    载流子密度(/cm3

    5×1016

    (5-20)×1017

    (1-20)×1017

    (1-10)×1017

    位错密度(EPD(/cm2

    <5×104

    尺寸

    Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片或切割片

    厚度(um)

    500,厚度公差+-10um,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室

     



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