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    Produkte
    Material
    InSb Einzelkristallsubstrat
    ver?ffentlicht : 2020-06-17 Ansichten : 1737

    InSb ist ein wichtiger Halbleiter, der haupts?chlich in weit infraroten Photodetektoren, Hall-Ger?ten und magnetorsistischen Ger?ten eingesetzt wird.
    Methode des Wachstums
    Tirafa.
    Struktur des Kristalls
    Würfel
    Konstante des Gitters (nm)
    0. 648
    Kristallografische Ausrichtung
    < 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
    Abschluss des Doping
    Dopant Element
    Rückg?ngig
    Die Doping
    Das Doping
    Art der Ausführung
    N
    N
    P
    Bandlücke (EV)
    Null Punkt eins acht
    Resistivit?t (Kombi)
    Mobilit?t (cm2 / (V 183rd; s))
    Dichte des Tr?gers (/cm3)
    1~5 215a1014
    1~2 deckungsgleich 215; 1015
    Dichte (EPD) (/cm2)
    <2,215a1;102
    Gr??e
    Fahrgestell 934; 2 “ ” Kombi2-2;-Kombiantel; 0.5 Sonderrichtung und -gr??e k?nnen je nach Kundenwunsch angepasst werden
    Oberfl?che
    Einzel-, Doppel-, oder Schneide
    Dicke (UM)
    Verschiedenheits934; 2 $2 $2,2222mm,0,5mm
    TTV (Gesamtdicke
    Variation
    TIR (insgesamt indiziert)
    Lesen)
    Bogen
    WarpComment
    Verpackung
    Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer


    InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。

     

    生长方法

    提拉法

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0. 648

    晶向

    <100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

     

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Te

    掺Ge

    导电类型

    N

    N

    P

    带隙(eV)

    0.18

    电阻率(Ω·cm)




    迁移率(cm2/(v·s))




    载流子密度(/cm3

    1~5×1014

    1~2×1015


    位错密度(EPD)(/cm2

    <2×102

    尺寸

    Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片、或切割片

    厚度(um)

    Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室

      

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