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    材料
    锑化铟InSb单晶基片
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1470



    InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。

     

    生长方法

    提拉法

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0. 648

    晶向

    <100>、<110>、<111>±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

     

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Te

    掺Ge

    导电类型

    N

    N

    P

    带隙(eV)

    0.18

    电阻率(Ω·cm)




    迁移率(cm2/(v·s))




    载流子密度(/cm3

    1~5×1014

    1~2×1015


    位错密度(EPD)(/cm2

    <2×102

    尺寸

    Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片、或切割片

    厚度(um)

    Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室

      



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