GaAs [1] ist ein wichtiges zusammengesetztes Halbleitermaterial, das zur Herstellung von Mikrowellen-integrierten Schaltungen, Infrarot-Leuchtdioden, Halbleiterlaser [2], Infrarotdetektion [3] und Solarzelle verwendet wird.GaAs einzelne Kristallsubstrate werden auch verwendet, um nanostrukturierte GaAs-Strukturen wie GaAs nanofire Array [4], GaAs nano cone array [5].
Methode des Wachstums
Vertikale Gradienten Erstarrung (VGF) LEC HB
Struktur des Kristalls
Struktur der Zinkmischung
Konstante des Gitters (nm)
Null Punkt fünf sechs fünf drei
Kristallografische Ausrichtung
ohne Rechtspers?nlichkeit; ohne Rechtspers?nlichkeit; ohne Rechtspers?nlichkeit;
Abschluss des Doping
Dopant Element
Rückg?ngig
Doping Zn
Si Doping
Art der Ausführung
Halbisolierung
P
N
Bandlücke (EV)
Ein Punkt vier
Resistivit?t (Kombi)
Mobilit?t (cm2 / (V 183rd; s))
Konzentration des Tr?gers (/cm3)
>5 215a1017
Dichte (EPD) (/cm2)
<5 215a1;105
Gr??e
2-Zoll-, 3-Zoll-, 4-Zoll- und 6-Zoll-Substrate k?nnen mit speziellen Richtungen und Gr??en nach Kundenwunsch angepasst werden
Oberfl?che
Einzel-, Doppel- oder Schneiden
Dicke (UM)
TTV (Gesamtdicke)
TIR (GesamtindikatedReading)
Bogen
WarpComment