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    材料
    砷化镓GaAs单晶体基片
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1490


    GaAs[1]是重要的化合物半导体材料,用来制作微波集成电路、红外线发光二极管、半导体激光器[2]、红外探测[3]和太阳能电池等元件。GaAs单晶基片也应用于制备成纳米结构的GaAs结构,如GaAs纳米线阵列[4]、GaAs纳米锥阵列[5]等。

    生长方法

    垂直梯度凝固法(VGF)LEC HB

    晶体结构

    闪锌矿型结构

    晶格常数(nm)

    0.5653

    晶向

    (100)、(111)

    掺杂程度

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Zn

    掺Si

    导电类型

    半绝缘

    P

    N

    带隙(eV)

    1.4

    电阻率(Ω·cm)




    迁移率(cm2/(v·s))




    载流子浓度(/cm3



    >5×1017

    位错密度(EPD)(/cm2

    <5×105

    尺寸

    2寸3寸4寸6寸可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的衬底

    表面

    单抛片、双抛片或切割片

    厚度(um)


    TTV (Total ThicknessVariation)


    TIR (Total IndicatedReading)


    Bow


    Warp



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