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    Produkte
    Material
    GaAs B Einzelkristallsubstrat
    ver?ffentlicht : 2020-06-17 Ansichten : 1963


    Die Gitterkonstanten des GaSb-Monokristalls entsprechen den Gitterkonstanten der festen Schmelzen verschiedener tern?rer, Quart?rer und III-V-Verbindungen mit Bandlücken im Bereich von 0.8-4.3umAls Substratmaterial kann GaSb als Laser- und Detektor für die Infrarot-Faserübertragung eingesetzt werden. Die Netzsperrmobilit?t von GaSb ist h?her als die von GaAs, was es zu einer m?glichen Anwendung in Mikrowellenger?ten macht.
    Methode des Wachstums
    LEC zur Flüssigkeitsdichtung
    Struktur des Kristalls
    Würfel
    Konstante des Gitters (nm)
    Null Punkt sechs Null neun
    Kristallografische Ausrichtung
    < 100 >, < 110 >, << 111 > > > > ",005d1866oder spezielle Richtung
    Abschluss des Doping
    Leichte, mittlere und schwere Beimischungen
    Dopant Element
    Rückg?ngig
    Die Doping
    Die Doping
    Doping Zn
    Art der Ausführung
    P
    P-
    N
    N-
    P+
    Bandlücke (EV)
    Null Punkt sieben fünf
    Resistivit?t (Kombi)
    Mobilit?t (cm2 / (V 183rd; s))
    Dichte des Tr?gers (/cm3)
    1~2 deckungsgleich 215; 1017
    1~5 215a1016
    2~6 215a1017
    1~5 215a1016
    1~5 215a1018
    Dichte (EPD) (/cm2)
    <5, 215a4a4a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3a3
    Gr??e
    Fahrgestell 934; 3 “(Nr.8243;. 215; 0.5, Kombikino-Nr.2 §8243215; 0.5, spezielle Richtung und Gr??e k?nnen je nach Kundenwunsch angepasst werden
    Oberfl?che
    Einzel-, Doppel- oder Schneiden
    Dicke (UM)
    500, Dickentoleranz + - 10um, anpassbar
    TTV (Gesamtdicke
    Variation
    TIR (insgesamt indiziert)
    Lesen)
    Bogen
    WarpComment
    Verpackung
    Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer

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