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    材料
    锑化镓GaSb单晶基片
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1722



    GaSb单晶是的晶格常数与带隙在0.8~4.3um光谱范围内的各种三元、四元和III-V族化合物固熔体的晶格常数匹配,所以 GaSb可以作为衬底材料适合用作制备某些红外光纤传输的激光器和探测器,GaSb的晶格限制迁移率大于GaAs,使得它在制作微波器件方面具有潜在的应用前景。

    生长方法

    液封提拉法LEC

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0.609

    晶向

    、、±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

    轻掺、中掺、重掺

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Te

    掺Te

    掺Zn

    导电类型

    P

    P-

    N

    N-

    P+

    带隙(eV)

    0.75

    电阻率(Ω·cm)





    迁移率(cm2/(v·s))






    载流子密度(/cm3

    1~2×1017

    1~5×1016

    2~6×1017

    1~5×1016

    1~5×1018

    位错密度(EPD)(/cm2

    <5×104

    尺寸

    Φ3″×0.5、Φ2″×0.5,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片或者切割片

    厚度(um)

    500,厚度公差+-10um,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


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