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    Produkte
    Material
    Substrat aus GaN
    ver?ffentlicht : 2020-06-16 Ansichten : 2930

    Gan hat die Eigenschaften von weiten direkten Bandlücken, starken Atombindungen, hoher W?rmeleitf?higkeit und starker Strahlungsbest?ndigkeit. Es ist nicht nur ein kurzwelliges optisches elektronisches Material, sondern auch ein alternatives Material für Hochtemperatur-Halbleiter-Ger?te. Gan-System kann verwendet werden, um blaue und grüne LED, blaue und UV-LD, UV-Detektor und hochfrequente High-Power-elektronische Ger?te vorzubereiten.Gan ist leicht mit AlN, Inn und so weiter zu mischen und kann zu verschiedenen heteroStrukturen gemacht werden. 2-deg mit einer Mobilit?t von 105cm2 / (V 1832d; s) bei niedriger Temperatur wurde erreicht, was die Faktoren wie optische Phonon-Streuung, ionisierte Verunreinigung Streuung und piezoelektrische Streuung effektiv abschirmt.
    Methode des Wachstums
    HVPE (hydride meteorologische Epitaxie)
    Struktur des Kristalls
    Hexagone
    Konstante des Gitters (nm)
    ein Luftfahrzeug im Kombibereich 65306; 0.319 c
    Kristallografische Ausrichtung
    C-Achse(0001) ?Bereich 17770.5
    Abschluss des Doping
    Leichte, mittlere und schwere Beimischungen
    Dopant Element
    Art der Ausführung
    N
    Halbisolierend
    Bandlücke (EV)
    drei Punkt vier
    Resistivit?t (Kombi)
    << 0.5 00T937; Kombi183cm
    >106937d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0d0
    Mobilit?t (cm2 / (V 183rd; s))
    Dichte des Tr?gers (/cm3)
    Dichte (EPD) (/cm2)
    <5x106
    Gr??e
    10.0mm €215; 10.5mm, 14.0mm {215; 15.0mm, spezielle Richtung und Gr??e k?nnen je nach Kundenwunsch angepasst werden
    Oberfl?che
    Einzel-, Doppel- oder Schneiden
    Dicke (UM)
    300 €1777; 25, 350 €1777; 25, 400 €
    TTV (Gesamtdicke
    Variation
    TIR (insgesamt indiziert)
    Lesen)
    Bogen
    WarpComment
    Verpackung
    Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 super sauber Zimmer
    Kombi-82030;

    GaN具有直接带隙宽、原子键强、热导率高和抗辐照能力强等性质,不仅是短波长光电子材料,也是高温半导体器件的替代材料,GaN体系可以用来制备蓝、绿光LED,蓝紫、紫外光LD,紫外探测器以及高频大功率电子器件。GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/(v·s)的2-DEG,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素。

    生长方法

    HVPE(氢化物气象外延法)

    晶体结构

    六方

    晶格常数(nm)

    a:0.319     c:0.519

    晶向

    C-axis(0001) ± 0.5°

    掺杂程度

    轻掺、中掺、重掺

    掺杂元素

    导电类型

    N

    Semi-Insulating

    带隙(eV)

    3.44

    电阻率(Ω·cm)

    < 0.5 Ω·cm

    >106Ω·cm

    迁移率(cm2/(v·s))



    载流子密度(/cm3



    位错密度(EPD)(/cm2

    <5x106

    尺寸

    10.0mm×10.5mm、14.0mm×15.0mm,可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片或切割片

    厚度(um)

    300 ± 25、350 ± 25、400 ± 25,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室




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