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    Produkte
    Material
    Galliumphosphid (GAP) Kristallsubstrat, Single Crystal Chip
    ver?ffentlicht : 2020-06-16 Ansichten : 3159

    Galliumphosphid (GAP) ist eine Art III-V-Verbindungshalbleiter, der aus Gallium (GA) und Phosphor (P) synthetisiert wird. Bei Raumtemperatur ist seine hohe Reinheit orangerot durchsichtiger chemischer Feststoff. Galliumphosphid ist ein wichtiges Material für die Herstellung von Halbleitern sichtbarer Lichtemittierger?te, das haupts?chlich für die Herstellung von Kommutatoren, Transistoren, Lichtr?hren, Laserdioden und Kühlelementen verwendet wird.

    Kombi-82030;
    Grundlegende Parameter
    Material: Galliumphosphid
    Modell: gap
    Eigenschaften: gute Isolierung
    Anwendung: Optik, Halbleiter, Luftfahrt
    Kategorie: Einzelkristall, polykristallin, Halbleiter
    Marke: Pan American Metal
    Anpassung des Prozesses: Ja
    Ort: Guangdong
    Ausführliche Beschreibung
    Name des Produkts:
    Substrat aus Galliumphosphid (GAP)
    Einführung des Produkts:
    Technische Parameter:
    Kristall Struktur:
    Cubic a = 5.4505
    Methode des Wachstums:
    Tirafa.
    Dichte:
    4.13 g/cm3
    Der Schmelzpunkt:
    1480 €84511;
    Koeffizient der W?rmeausdehnung:
    5.3 x10-6
    Dopant:
    S-dotiert; ohne
    W?rmeleitf?higkeit:
    2~8 x1017/cm3 ~ 6 x1016/cm3
    Resistivit?t w.cm:
    ~0.03 {y:bi}
    EPD (cm-2)*
    < 3x10E5 "(3.65307;< 3x10E5
    Allgemeine Abmessungen:
    Konventionelle Kristallrichtung: < 111 >; konventionelle Gr??e: 10x10x0,5mm, Dia2 "x0,5mm; Polierverfassung: Ein- oder Doppelpolieren;
    Hinweis: Die Richtung und Gr??e k?nnen je nach Kundenwunsch angepasst werden.
    Bemerkungen:
    Klasse 1000 super sauber Zimmer Klasse 100 super sauber Tasche
    Kombi-82030;


    基本参数

    材质:磷化镓

    型号:GaP

    特性:绝缘性好

    用途:光学,半导体,航空

    种类:单晶,多晶,半导体

    品牌:泛美金属

    加工定制:是

    产地:广东


    详细说明

    产品名称:

    磷化镓(GaP)晶体基片

    产品简介


    技术参数:

    晶体结构

    立方         a =5.4505

    生长方法:

    提拉法

    密度:

    4.13  g/cm3

    熔点:

    1480

    热膨胀系数

    5.3 x10-6

    掺杂物质

    掺S ;不掺杂

    热传导率

    2~8 x1017/cm3 ;4~ 6 x1016/cm3

    电阻率W.cm

    ~0.03 ;~0.3

    EPD (cm-2 )

    < 3x10E5 ;< 3x10E5


    常规尺寸:

    常规晶向:<111>;常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;抛光情况:单抛或双抛;

    注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

    备注:

    1000级超净室100级超净袋

  • früher : Scandium
  • n?chste : Substrat aus GaN
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