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    Produkte
    Material
    Ge wafer
    ver?ffentlicht : 2016-08-24 Ansichten : 9004

    Je nach kundenwunsch individuelle verarbeitung, die verschiedenen Dimensionen der halbleiter -, Solar - und Optik - ge - tabletten.
    Neben der standard - Produkt - dimension 2 - 3 "4" 6 ", kann aber auch in übereinstimmung mit den anforderungen der kunden individuelle verarbeitung in verschiedenen gr??en.
    Size: 2 "3" 4 "6" Oder auf customer'o
    Crystal (100) (iii) (110) und nach den anforderungen des kunden.
    Richtung: (100) (iii) (110) Oder auf customer'o
    Produkt - Type / P - Type / Undope
    Typ: Undope type / P - Type /
    Oberfl?che: schleifen, einzelne WerFen, zwei MIT
    Surface: lapping, single - Seite polished, polished.
    Dicke: 150um~20mm
    Thickness: 150um ~20mm

    典型规格见下表

    Semi-conducting Ge Specifications


    Growth Method VGF
    Dopant n-type: As;   p-type: Ga
    Wafer Shape Round (DIA: 2" 4" 6")
    Surface Orientation** (100)±0.5°

    **Other Orientations maybe available upon request


    Dopant As (n-type) Ga (p-type)
    Resistivity  (?.cm) 0.05-0.25 0.005-0.04
    Etch Pitch Density (cm2) ≤ 300 ≤ 300



    Wafer Diameter (mm) 50.8±0.3 100±0.3
    Thickness (μm) 175±25 175±25
    TTV [P/P] (μm) ≤ 15 ≤ 15
    WARP (μm) ≤ 25 ≤ 25
    IF* (mm) 17±1 32.5±1
    OF (mm) 7±1 18±1
    Polish** E/E, P/E, P/G E/E, P/E, P/G
    Backside Ra (μm)*** < 0.1 < 0.1

    ``````````````````````更详细要求请来电咨询!``````````````````````````

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