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    产品中心
    材料
    锗片Ge wafer
    发布时间 : 2016-08-24 浏览次数 : 8754

    可按客户要求加工定制,各种规格尺寸的半导体级、太阳能级和光学级锗片。

    产品尺寸除了标准的2“  3”  4“ 6” ,还可以按照客户要求加工定制各种规格尺寸。

    Size:  2"  3"  4" 6" or on customer' requirements

    晶向(100) (111)(110)或按客户要求。

    Direction: (100) (111)(110)or on customer' requirements

    产品类型 n-type  / p-type /  Undope

    Type:  n-type  / p-type /  Undope

    表面:研磨、单抛、双抛

    Surface: lapping,  single side polished, Double side polished

    厚度: 150um~20mm

    Thickness: 150um ~20mm

    典型规格见下表

    Semi-conducting Ge Specifications


    Growth Method VGF
    Dopant n-type: As;   p-type: Ga
    Wafer Shape Round (DIA: 2" 4" 6")
    Surface Orientation** (100)±0.5°

    **Other Orientations maybe available upon request


    Dopant As (n-type) Ga (p-type)
    Resistivity  (?.cm) 0.05-0.25 0.005-0.04
    Etch Pitch Density (cm2) ≤ 300 ≤ 300



    Wafer Diameter (mm) 50.8±0.3 100±0.3
    Thickness (μm) 175±25 175±25
    TTV [P/P] (μm) ≤ 15 ≤ 15
    WARP (μm) ≤ 25 ≤ 25
    IF* (mm) 17±1 32.5±1
    OF (mm) 7±1 18±1
    Polish** E/E, P/E, P/G E/E, P/E, P/G
    Backside Ra (μm)*** < 0.1 < 0.1

    ``````````````````````更详细要求请来电咨询!``````````````````````````


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