<nav id="gasoa"><strong id="gasoa"></strong></nav>
  • <xmp id="gasoa"><menu id="gasoa"></menu>
    <nav id="gasoa"><code id="gasoa"></code></nav>
    <menu id="gasoa"></menu>
    <dd id="gasoa"></dd>
    中文 | English | ??? | Deutsch
    行业动态
    公司动态
    供应锑化铟InSb单晶基片 厂家品牌_深圳泛美金属
    发布时间 : 2020-06-17 浏览次数 : 1787

    供应锑化铟InSb单晶基片厂家品牌_深圳泛美金属,欢迎广大客户来电咨询洽谈交易,18928450898


    InSb是一种重要的化合物半导体,主要用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。

    生长方法

    提拉法

    晶体结构

    立方

    晶格常数(nm)

    0. 648

    晶向

    、、±0.5o、或特殊方向

    掺杂程度

    掺杂元素

    不掺杂

    掺Te

    掺Ge

    导电类型

    N

    N

    P

    带隙(eV)

    0.18

    电阻率(Ω·cm)




    迁移率(cm2/(v·s))




    载流子密度(/cm3

    1~5×1014

    1~2×1015


    位错密度(EPD)(/cm2

    <2×102

    尺寸

    Φ2″×0.5可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸

    表面

    单抛片、双抛片、或切割片

    厚度(um)

    Φ2″×0.5mm、Φ3″×0.5mm,可定制

    TTV (Total Thickness

    Variation)


    TIR (Total Indicated

    Reading)


    Bow


    Warp


    包装

    100级洁净袋,1000级超净室


    Copyright © 2014-2021 深圳泛美战略金属资源有限公司 备案/许可证编号:粤ICP备14030609号

    快3官方